Hooray! Em publicação na Nano Letters da American Chemical Society, André Saraiva e Belita Koiller demonstraram como identificar um par de impurezas em silício, em analogia a uma molécula de H2. As particularidades dos elétrons de condução do Si permitem contactar eletricamente e passar uma corrente por uma molécula dessas. O resultado — extremamente diferente da lei de Ohm, permite a identificação de parâmetros dessa molécula artificial, como a separação entre impurezas.